Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 540 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 55V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 825mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.8V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 1.7nC
- Gehäusegröße
- SOT-23
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 540mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 360mW
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 540mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 55V
Gehäusegröße = SOT-23
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 825mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 360mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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