Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 55V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 14.7mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 41nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 30A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 136W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für ″Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Green Product (RoHS-konform) MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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