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Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD30N06S215ATMA2

Produkt-Nr.: P-DRFPHB-DR3683

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
55V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
14.7mΩ
Durchlassspannung (Vf)
1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
41nC
Gehäusegröße
TO-252
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
30A
Maximale Betriebstemperatur
175°C

Produktbeschreibung

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für ″Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Green Product (RoHS-konform) MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET

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