Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 55V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 13mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 54nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 30A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 136W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet hohe Strombelastbarkeit und niedrigste Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz. Es wurde zu 100 % auf Lawinenbildung getestet.Er ist bleifrei
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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