Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 610 A 333 W, 9-Pin PG-TTFN-9

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.47mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

129nC

Gehäusegröße

PG-TTFN-9

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

610A

Maximale Betriebstemperatur

175°C