Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 275 A 139 W, 8-Pin TDSON

Name: Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 275 A 139 W, 8-Pin TDSON
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSC010N04LSIATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFFNB-DRSHWK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 1.05mΩ
Durchlassspannung (Vf): 0.7V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 87nC
Gehäusegröße: TDSON
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 275A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 139W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 275A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = TDSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.05mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 87nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 5.35mm
Automobilstandard = Nein