Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 126 A 69 W, 8-Pin TSDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

37nC

Gehäusegröße

TSDSON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

126A

Maximale Betriebstemperatur

150°C