Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 105 A 69 W, 8-Pin PQFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

5.6mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

64nC

Gehäusegröße

PQFN

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

105A

Maximale Betriebstemperatur

150°C