Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 99 A 83 W, 3-Pin PG-TO252-3

Name: Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 99 A 83 W, 3-Pin PG-TO252-3
Brand: INFINEON
Price: 1.23 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD030N03LF2SATMA1

Produkt-Nr.: P-DP6TN5-DRW7KK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 3.05mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 16nC
Gehäusegröße: PG-TO252-3
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 99A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 83W
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 99A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Serie = OptiMOS
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 3.05mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 16nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS
Automobilstandard = Nein

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