Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 57 A 28 W, 8-Pin TDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

7.2mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

12nC

Gehäusegröße

TDSON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

57A

Maximale Betriebstemperatur

150°C