Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 300 A 300 W, 9-Pin HSOF
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 500μΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 252nC
- Gehäusegröße
- HSOF
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 300A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 300W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 9
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 300A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = HSOF
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 9
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 500μΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 300W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 2.4mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043408286
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