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Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 143 A 136 W, 3-Pin PG-TO252-3

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD020N03LF2SATMA1

Produkt-Nr.: P-DP6TN3-DRW7KH

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
2.05mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
33nC
Gehäusegröße
PG-TO252-3
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
143A
Maximale Betriebstemperatur
175°C
Maximale Verlustleistung (Pd)
136W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 143A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = PG-TO252-3
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.05mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 33nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET