Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 143 A 136 W, 3-Pin PG-TO252-3
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2.05mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 33nC
- Gehäusegröße
- PG-TO252-3
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 143A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 136W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 143A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = PG-TO252-3
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.05mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 33nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET