Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 142 A 69 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.1mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

41nC

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8FL

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

142A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

69W