Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 137 A 107 W, 3-Pin PG-TO252-3

Name: Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 137 A 107 W, 3-Pin PG-TO252-3
Brand: INFINEON
Price: 1.39 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD023N03LF2SATMA1

Produkt-Nr.: P-DP6TN4-DRW7KJ

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 30V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 2.35mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 39nC
Gehäusegröße: PG-TO252-3
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 137A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 107W
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 137A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = PG-TO252-3
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 2.35mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 107W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS
Automobilstandard = Nein

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