Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 63 W, 8-Pin SuperSO
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 5.1mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 39nC
- Gehäusegröße
- SuperSO
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 100A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 63W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 100A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = SuperSO
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 5.1mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 39nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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