Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 789 A 278 W, 9-Pin PG-TTFN-9

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

25V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.29mΩ

Gehäusegröße

PG-TTFN-9

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

789A

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

278W