Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 40 A 26 W, 8-Pin TSDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

25V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

8.1mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.87V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

9.1nC

Gehäusegröße

TSDSON

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

40A

Maximale Betriebstemperatur

150°C