Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 147 A 50 W, 8-Pin TDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 25V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 1.5mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.65V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 22nC
- Gehäusegröße
- TDSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 147A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 50W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Mit der Produktfamilie OptiMOS 5 25 V und 30 V bietet Infineon Referenzlösungen, indem es sowohl im Standby- als auch im Vollbetrieb höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz ermöglicht. Mögliche Anwendungen umfassen Desktop und Server, einphasige und mehrphasige POL, Spannungsregler mit hoher Leistungsdichte usw.Monolithische integrierte Schottky-Diode Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler 100%ig auf Stoßentladung geprüft
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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