Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 314 A 358 W, 8-Pin PG-HSOF-8-1

Technische Daten

Automobilstandard

Nein

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

120V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.7mΩ

Gehäusegröße

PG-HSOF-8-1

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

314A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

358W