Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 190 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

Name: Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 190 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSS123NH6433XTMA1

Produkt-Nr.: P-DRLTFB-DRXTJ5

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 10Ω
Durchlassspannung (Vf): 0.8V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 0.6nC
Gehäusegröße: SOT-23
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 190mA
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 500mW
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 190mA
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = SOT-23
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 10Ω
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 500mW
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1mm
Automobilstandard = AEC-Q101