Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.8 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223

Name: Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.8 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSP372N H6327

Produkt-Nr.: P-DP8R3K-DRYJHP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 100V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 270mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.1V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 9.5nC
Gehäusegröße: SOT-223
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 1.8A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 1.8W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 4
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 1.8A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = SOT-223
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 270mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 1.8W
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Höhe = 1.6mm
Automobilstandard = AEC-Q101