Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A, 8-Pin TDSON
Technische Daten
- Automobilstandard
- AEC-Q101
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 4mΩ
- Gehäusegröße
- TDSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 100A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für ″Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung Möglich für automatische optische Inspektion (AOI) 100%ig auf Stoßentladung geprüft AEC-Zulassung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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