Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 90 A 79 W, 3-Pin TO-252

Das Infineon bietet eine breite Palette von N-Kanal-MOSFETs mit 55 V bis 60 V für den Einsatz in der Automobilindustrie mit der neuen OptiMOS-Technologie in einer Vielzahl von Gehäusen und RDS(on) von 1,5 mEx bis 160 MΩ. Die neue 60-V-Automobil-MOSFET-Familie mit OptiMOS5-Technologie bietet mehr Leistung und führende Leistung. OptiMOS 5 bietet reduzierte Leitungsverluste, die für Antriebe und Leistungswandlungsanwendungen optimiert sind. Die kleineren bleifreien Gehäuse SSO8 (5 x 6 mm2) und S3O8 (3 x 3 mm2) ermöglichen Platzersparnis um mehr als 50 % im Vergleich zur Fläche eines DPAK.N-Kanal - Anreicherungstyp MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Betriebstemperatur 100 % Lawinenprüfung Extrem niedriger RDSon Weltweit niedrigster RDS bei 60 V (ein) Höchste Strombelastbarkeit Niedrigste Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz Robustes Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit Optimierte Gesamtladefunktion ermöglicht kleinere Treiberausgangsstufen