Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 40 A 36 W, 8-Pin TSDSON

Name: Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 40 A 36 W, 8-Pin TSDSON
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: BSZ100N06NSATMA1

Produkt-Nr.: P-DRH7DN-DRVM3Z

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 1mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 12nC
Gehäusegröße: TSDSON
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 40A
Maximale Betriebstemperatur: 150°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 36W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 8
Produkt Typ: MOSFET & Diode
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET & Diode
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 40A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Gehäusegröße = TSDSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 12nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 5.35mm
Automobilstandard = Nein