Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 30 A 36 W, 3-Pin TO-252

Name: Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 30 A 36 W, 3-Pin TO-252
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPD30N06S4L23ATMA2

Produkt-Nr.: P-DRFJKG-DRVM5D

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 60V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 23mΩ
Durchlassspannung (Vf): 1.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 16.1nC
Gehäusegröße: TO-252
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 30A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 36W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET & Diode
Serie: OptiMOS

Produktbeschreibung

Kabelkanaltyp = Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 30A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 60V
Serie = OptiMOS
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 23mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Durchlassspannung Vf = 1.3V
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 6.73mm
Automobilstandard = AEC-Q101