Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 120 V / 70 A, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Automobilstandard
- Nein
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 120V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 11.3mΩ
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 70A
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET & Diode
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Das Infineon bietet ein breites Portfolio an Kfz-Leistungs-MOSFETs mit einer Spannung von 120 V, 150 V, 200 V, 250 V und 300 V für Anwendungen wie Wechselrichter für leichte Elektrofahrzeuge (LSEV, e-Motorräder, e-Scooters), DC/AC-Umwandlung, Und integrierte Ladegeräte sowie synchrone HV-12V DC/DC-Gleichrichtung für Batterie-elektrische Fahrzeuge (BEV) für den aufkommenden 48-V-Markt. Sehen Sie sich unsere neu eingeführten 100-V-Produkte in TOLL (HSOF-8), TOLG (HSoG-8) und SSO8 (TDSON-8) an.OptiMOSTM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen N-Kanal - Anreicherungstyp Kfz AEC Q101 zugelassen MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Betriebstemperatur
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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