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Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 120 V / 70 A, 3-Pin TO-263

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Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB70N12S311ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFJJ7-DRVM45

Technische Daten

Automobilstandard
Nein
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
120V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
11.3mΩ
Gehäusegröße
TO-263
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
70A
Montageart
Oberfläche
Normen/Zulassungen
No
Pinanzahl
3

Produktbeschreibung

Das Infineon bietet ein breites Portfolio an Kfz-Leistungs-MOSFETs mit einer Spannung von 120 V, 150 V, 200 V, 250 V und 300 V für Anwendungen wie Wechselrichter für leichte Elektrofahrzeuge (LSEV, e-Motorräder, e-Scooters), DC/AC-Umwandlung, Und integrierte Ladegeräte sowie synchrone HV-12V DC/DC-Gleichrichtung für Batterie-elektrische Fahrzeuge (BEV) für den aufkommenden 48-V-Markt. Sehen Sie sich unsere neu eingeführten 100-V-Produkte in TOLL (HSOF-8), TOLG (HSoG-8) und SSO8 (TDSON-8) an.OptiMOSTM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen N-Kanal - Anreicherungstyp Kfz AEC Q101 zugelassen MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Betriebstemperatur

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Artikeltyp
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