Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 195 A 96 W, 8-Pin SuperSO
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.7V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 55nC
- Gehäusegröße
- SuperSO
- Höhe
- 1.2mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 195A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 96W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS
Produktbeschreibung
Dieser Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET ist für synchrone Gleichrichtung optimiert und bietet eine höhere Zuverlässigkeit der Lötverbindung durch eine erweiterte Quellenverbindung.Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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