Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 433 A 188 W, 8-Pin TDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

5.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.7V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

51nC

Gehäusegröße

TDSON

Höhe

1.1mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

433A

Maximale Betriebstemperatur

175°C