Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 433 A 188 W, 8-Pin TDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 30V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 5.5mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 59nC
- Gehäusegröße
- TDSON
- Höhe
- 1.1mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 433A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 188W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS™
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 433A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 30V
Gehäusegröße = TDSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 5.5mΩ
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 59nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = Nomm
Automobilstandard = Nein
Produktangebot
Weitere Angebote
Alle anzeigen (2)Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
Alle Angebote
* zzgl. Versandkosten