Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 479 A 188 W, 8-Pin TDSON

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

25V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.45mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

135nC

Gehäusegröße

TDSON

Höhe

1.1mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

479A

Maximale Betriebstemperatur

175°C