Infineon OptiMOS™ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 120 V / 237 A 375 W, 8-Pin HSOF-8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

120V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

3mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

158nC

Gehäusegröße

HSOF-8

Höhe

2.4mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

237A

Maximale Betriebstemperatur

175°C