Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 165 A 148 W, 8-Pin PG-TDSON-8-34

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.9mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

51.5nC

Gehäusegröße

PG-TDSON-8-34

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

165A

Maximale Betriebstemperatur

175°C