Infineon OptiMOS-TM7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 290 A 133 W, 5-Pin PG-HSOF-5-2
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 0.82mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 0.8V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 60nC
- Gehäusegröße
- PG-HSOF-5-2
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 290A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 133W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 5
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS-TM7
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 290A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = PG-HSOF-5-2
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 0.82mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS, AEC-Q101
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET