Infineon OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 656 A 300 W, 12-Pin PG-TSON-12

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.36mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

±20 V

Gehäusegröße

PG-TSON-12

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

656A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

300W