Infineon OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 200 A 130 W, 10-Pin PG-LHDSO-10-1

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

2.05mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.8V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

38nC

Gehäusegröße

PG-LHDSO-10-1

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

200A

Maximale Betriebstemperatur

175°C