Infineon OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 39 A 125 W, 3-Pin PG-TO263-3

Name: Infineon OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 39 A 125 W, 3-Pin PG-TO263-3
Brand: INFINEON
Price: 4.16 EUR
Availability: InStock

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB339N20NM6ATMA1

Produkt-Nr.: P-DP6TNX-DRW7KC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 200V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 33.9mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 15.9nC
Gehäusegröße: PG-TO263-3
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 39A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 125W
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS-TM6

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 39A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 200V
Gehäusegröße = PG-TO263-3
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 33.9mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 15.9nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS
Automobilstandard = Nein

4,16 €

4,95 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Lieferzeit ca. 1 Tag

Zustand: Neu

Garantie: 12 MonateMindestbestellmenge: 5Mengenintervall: 5

Maximal 930 verfügbar

Sichere Zahlung