Infineon OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 134 A 300 W, 3-Pin PG-TO263-3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

6.8mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

73nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

134A

Maximale Betriebstemperatur

175°C