Infineon OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 134 A 300 W, 3-Pin PG-TO263-3
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 6.8mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 73nC
- Gehäusegröße
- PG-TO263-3
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 134A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 300W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS-TM6
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 134A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 200V
Gehäusegröße = PG-TO263-3
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 6.8mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET