Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 350 A 307 W, 4-Pin PG-HSOG-4-1

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.8mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

138nC

Gehäusegröße

PG-HSOG-4-1

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

350A

Maximale Betriebstemperatur

175°C