Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 66 A 94 W, 8-Pin PG-TDSON-8-60

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

14.6mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

23nC

Gehäusegröße

PG-TDSON-8-60

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

66A

Maximale Betriebstemperatur

175°C