Infineon OptiMOS-TM5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 69 W, 8-Pin TDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 9.8mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 22nC
- Gehäusegröße
- TDSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 60A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 69W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS-TM5
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 60A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 100V
Gehäusegröße = TDSON
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 9.8mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 22nC
Maximale Betriebstemperatur = 150°C
Länge = 5.35mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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