Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 45 A 79 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- N
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 80V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 13.5mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 19nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 45A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 79W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS-TM3
Produktbeschreibung
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie. OptiMOS ist der Marktführer in hocheffizienten Lösungen für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), Stromversorgung (z. B. Server und Telekommunikation) und Stromverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug).N-Kanal, normale 100%ig auf Stoßentladung geprüft Pb-frei Beschichtung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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