Infineon OptiMOS-TM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 114 A 63 W, 8-Pin TSDSON
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 40V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 2.8mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 32nC
- Gehäusegröße
- TSDSON
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 114A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 63W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 8
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS-TM3
Produktbeschreibung
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für ″Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren″. MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. ″Feldeffekt″ bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.Bleifreie Leitungsbeschichtung RoHS-konform Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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