Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Automobilstandard

AEC-Q101

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.1mΩ

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

120A

Montageart

Oberfläche

Normen/Zulassungen

No

Pinanzahl

3