Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 50 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 60V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 12mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 30nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 50A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 50W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS-T2
Produktbeschreibung
Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-T2-Serie für die Automobilindustrie. Er hat den DPAK-Gehäusetyp (TO-252).N-Kanal - Anreicherungstyp 100 % Lawinenprüfung 175 °C Betriebstemperatur
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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