Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 71 W, 3-Pin TO-262

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

9.2mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

36nC

Gehäusegröße

TO-262

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

45A

Maximale Betriebstemperatur

175°C