Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263

Name: Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB180N04S4H0ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRCF38-DRVMYZ

Technische Daten

Automobilstandard: AEC-Q101
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 40V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 1.1mΩ
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 180A
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: No
Pinanzahl: 7
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS-T2

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 180A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 40V
Gehäusegröße = TO-263
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 1.1mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Normen/Zulassungen = No
Automobilstandard = AEC-Q101

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