Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON-8-4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

40V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

7.6mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

28nC

Gehäusegröße

TDSON-8-4

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

20A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

65W