Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

250V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

100mΩ

Durchlassspannung (Vf)

0.9V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

14nC

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

17A

Maximale Betriebstemperatur

175°C