Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 70 A 125 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 120V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 11.1mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 51nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 70A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 125W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS-T
Produktbeschreibung
Dieser Infineon OptiMOS MOSFET ist für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignet und zu 100 % auf Lawinenbildung geprüft.Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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