Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 50 A, 3-Pin TO-263

Name: Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 50 A, 3-Pin TO-263
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: IPB50N12S3L15ATMA1

Produkt-Nr.: P-DRFFPT-DRSHX3

Technische Daten

Automobilstandard: Nein
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 120V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 15.4mΩ
Gehäusegröße: TO-263
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 50A
Montageart: Oberfläche
Normen/Zulassungen: No
Pinanzahl: 3
Produkt Typ: MOSFET
Serie: OptiMOS-T

Produktbeschreibung

Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Dies sind robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.Das Produkt ist gemäß AEC Q101 für den Kfz-Bereich zugelassen 100 % Lawinenprüfung Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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