Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 35 A 71 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 100V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 26mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.2V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 30nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 35A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 71W
- Montageart
- Oberfläche
- Pinanzahl
- 3
- Produkt Typ
- MOSFET
- Serie
- OptiMOS-T
Produktbeschreibung
Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-T-Serie für die Automobilindustrie, integriert in das DPAK-Gehäuse (TO-252). Er hat niedrige Schalt- und Leitungsleistungsverluste.N-Kanal - Anreicherungstyp MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung 175 °C Betriebstemperatur
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
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